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PMDPB56XNEAX
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.055 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,266 € |
| 500+ | 0,204 € |
| 1000+ | 0,171 € |
| 5000+ | 0,144 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMDPB56XNEAX
Bestellnummer3440020RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.055ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.055ohm
Bauform - TransistorDFN2020D
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal485mW
Verlustleistung, p-Kanal485mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.055ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
485mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.055ohm
Bauform - Transistor
DFN2020D
Verlustleistung, n-Kanal
485mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung