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PBSS5540Z,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.35 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| 200+ | 0,149 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS5540Z,115
Bestellnummer8736634
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom5A
Verlustleistung1.35W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz120MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.350hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PBSS5540Z ist ein PNP-Transistor mit niedriger VCEsat in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser Baustein verfügt über ein Kollektor-Pad für eine gute Wärmeübertragung.
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Strombelastbarkeit
- Verbesserte Zuverlässigkeit aufgrund der reduzierten Wärmeerzeugung
- Komplementärer NPN-Transistor: PBSS4540Z
- Markierungscode: PB5540
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Signalverarbeitung, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
5A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
350hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
1.35W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
120MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000126