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GAN039-650NTBJ
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 11,730 € |
| 5+ | 11,020 € |
| 10+ | 10,300 € |
| 50+ | 10,290 € |
| 100+ | 9,320 € |
| 250+ | 9,130 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGAN039-650NTBJ
Bestellnummer4550979
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id58.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.039ohm
Gate-Ladung, typ.26nC
Bauform - TransistorCCPAK1212i
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins12Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.039ohm
Bauform - Transistor
CCPAK1212i
Anzahl der Pins
12Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
58.5A
Gate-Ladung, typ.
26nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung