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BUK9K12-60EX
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0085 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1500+ | 0,635 € |
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Mehrere: 1500
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK9K12-60EX
Bestellnummer3439702RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0085ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0085ohm
Bauform - TransistorLFPAK56D
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal68W
Verlustleistung, p-Kanal68W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0085ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
68W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0085ohm
Bauform - Transistor
LFPAK56D
Verlustleistung, n-Kanal
68W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung