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BST52,115
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.3 W, 1 A, SOT-89, 3 Pin(s)
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| 500+ | 0,321 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBST52,115
Bestellnummer8735026RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo80V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung Pd1.3W
Verlustleistung1.3W
DC-Kollektorstrom1A
Bauform - HF-TransistorSOT-89
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.2000hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BST52 is a NPN Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the industrial switching applications such as print hammer, solenoid, relay and lamp driving.
- High current
- Low voltage
- Integrated diode and resistor
- PNP complements are BST60, BST61 and BST62
- AS3 Marking code
Anwendungen
Industrie, Unterhaltungselektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung Pd
1.3W
DC-Kollektorstrom
1A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
2000hFE
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
80V
Dauerkollektorstrom
1A
Verlustleistung
1.3W
Bauform - HF-Transistor
SOT-89
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000199
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