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BC856BMYL
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
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| 1000+ | 0,0363 € |
| 5000+ | 0,0277 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC856BMYL
Bestellnummer2545351RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung250mW
Bauform - TransistorSOT-883
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.220hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
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Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-883
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
220hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
250mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000018