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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT62F1536M32D4DS-023 AIT:C
Bestellnummer4242614
DRAM-AusführungMobile LPDDR5
Speicherdichte48Gbit
Speicherkonfiguration1.5G x 32 Bit
Taktfrequenz, max.4.266GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins315Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.05V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.95°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
- Mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM
- 1.05V VDD2H / 0.5V VDDQ operating voltage, 1536 Meg x 32 configuration
- 4 die count, 234ps, tWCK cycle time, automotive grade
- Differential data clocks (WCK-t/WCK-c), differential read strobe (RDQS-t/RDQS-c)
- Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
- Programmable VSS on-die termination (ODT), non target ODT support
- I/O type: Low-swing single-ended, VSS terminated
- VOH-compensated output drive, DVFSQ support
- Single-ended CK, single-ended WCK, and single-ended RDQS, data copy, write X
- Operating temperature range from -40°C to +95°C, package style is 315-ball TFBGA
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR5
Speicherkonfiguration
1.5G x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.05V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
48Gbit
Taktfrequenz, max.
4.266GHz
Anzahl der Pins
315Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung