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IRF9953TRPBF
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF9953TRPBF
Bestellnummer2725931RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001555962
Technisches Datenblatt
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF9953TRPBF
Bestellnummer2725931RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001555962
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal2.3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.165ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.165ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
Produktbeschreibung
HEXFET® power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Generation V technology
- Ultra-low on-resistance
- Dual P-channel MOSFET
- Surface mount package
- Very low gate charge and switching losses
- Fully avalanche rated
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.165ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
HEXFET Series
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.165ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000726