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IRF8313TRPBF
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF8313TRPBF
Bestellnummer2468027RL
Auch bekannt alsSP001577640
Technisches Datenblatt
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF8313TRPBF
Bestellnummer2468027RL
Auch bekannt alsSP001577640
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal9.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0125ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0125ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternativen für IRF8313TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
IRF8313TRPBF ist ein zweifacher n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die neueste HEXFET-Leistungs-Silizium-Technologie nutzt und über ein Gehäuse gemäß Industriestandard verfügt. Der Baustein wurde optimiert für Parameter, die im synchronen Buck-Betrieb unbedingt erforderlich sind, einschließlich RDS(ON) und Gate-Ladung, um Leitungs- und Schaltverluste zu reduzieren. Dank der reduzierten Gesamtverluste ist dieser Baustein ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, die die neueste Generation von Prozessoren für Notebook- und Netcom-Anwendungen mit Strom versorgen.
- Niedrige Gate-Ladung und niedriger RDS(ON)
- Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom
- Halogenfrei
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0125ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0125ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000127