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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7907TRPBF
Bestellnummer4319105
ProduktpaletteHEXFET Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 15 Woche(n)
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
4000+ | 0,348 € |
12000+ | 0,341 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 4000
Mehrere: 4000
1.392,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7907TRPBF
Bestellnummer4319105
ProduktpaletteHEXFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal11A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0098ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0098ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0098ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0098ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00019
Produktnachverfolgung