Seite drucken
IRF7380TRPBF
Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7380TRPBF
Bestellnummer2577152RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001574936
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,639 € |
| 250+ | 0,500 € |
| 1000+ | 0,456 € |
| 2000+ | 0,441 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
68,90 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7380TRPBF
Bestellnummer2577152RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001574936
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal80V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.061ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.061ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.061ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.061ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00022
Produktnachverfolgung