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IMLT65R033M2HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.041 ohm, HDSOP
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT65R033M2HXTMA1
Bestellnummer4573828RL
Auch bekannt alsIMLT65R033M2H, SP005969468
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 8,680 € |
| 50+ | 7,960 € |
| 100+ | 7,230 € |
| 250+ | 6,810 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT65R033M2HXTMA1
Bestellnummer4573828RL
Auch bekannt alsIMLT65R033M2H, SP005969468
Technisches Datenblatt
Dauer-Drainstrom Id68A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Anzahl der Pins16Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung312W
Betriebstemperatur, max.175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauer-Drainstrom Id
68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
312W
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung