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IDK20G120C5XTMA1
SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-263 (D2PAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDK20G120C5XTMA1
Bestellnummer3577327RL
ProduktpaletteCoolSiC 5G Series
Auch bekannt alsIDK20G120C5, SP002739646
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 5,490 € |
| 50+ | 5,220 € |
| 100+ | 3,780 € |
| 250+ | 3,700 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDK20G120C5XTMA1
Bestellnummer3577327RL
ProduktpaletteCoolSiC 5G Series
Auch bekannt alsIDK20G120C5, SP002739646
Technisches Datenblatt
ProduktpaletteCoolSiC 5G Series
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung1.2kV
Durchschnittlicher Durchlassstrom56A
Kapazitive Gesamtladung82nC
Bauform - DiodeTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Die IDK20G120C5XTMA1 ist eine CoolSiC™-Schottky-Diode der 5. Generation für 1200V. Typische Anwendungen umfassen: Treiber, industrielle Stromversorgungen: industrielle USV, zentrale Solarwechselrichter und Solarwechselrichter für Strings.
- Revolutionäres Halbleitermaterial: Siliziumkarbid; kein Sperrverzögerungsstrom / keine Verzögerungszeit
- Temperaturunabhängiges Schaltverhalten; niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur
- Enge Durchlassspannungsverteilung; hervorragende thermische Leistung
- Erweiterte Stoßstromfestigkeit; spezifizierte dv/dt-Festigkeit
- Verbesserung des System-Wirkungsgrads im Vergleich zu Si-Dioden
- Ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / höherer Leistungsdichte
- Einsparungen bei Systemgröße/Kosten dank reduzierter Kühlanforderungen und kleineren induktiven Bauelementen
- Reduzierte elektromagnetische Emissionen (EMI); höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich
- Robuste Diodenfunktion während Stoßspannungen; hohe Zuverlässigkeit
- PG-TO263-2-Gehäuse; Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Produktpalette
CoolSiC 5G Series
Periodische Spitzensperrspannung
1.2kV
Kapazitive Gesamtladung
82nC
Anzahl der Pins
3 Pins
Diodenmontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
56A
Bauform - Diode
TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001656
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