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FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFS01MR08A8MA2LBCHPSA1
Bestellnummer4439877
ProduktpaletteHybridPACK G2 Series
Auch bekannt alsFS01MR08A8MA2LBC, SP005567339
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1.790,000 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFS01MR08A8MA2LBCHPSA1
Bestellnummer4439877
ProduktpaletteHybridPACK G2 Series
Auch bekannt alsFS01MR08A8MA2LBC, SP005567339
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationSixPack
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id620A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00169ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins30Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.55V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHybridPACK G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
SixPack
Dauer-Drainstrom Id
620A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00169ohm
Anzahl der Pins
30Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.55V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
-
Produktpalette
HybridPACK G2 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung