BSD235CH6327XTSA1
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,209 € |
| 250+ | 0,146 € |
| 1000+ | 0,102 € |
| 5000+ | 0,0751 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Die komplementären Leistungs-MOSFETs BSD235C H6327 – ein n-Kanal- und ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem Gehäuse – sind Teil der beliebten Niederspannungs-OptiMOS™-Produktreihe von Infineon, dem Marktführer im Bereich von äußerst effizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Mikro-Solarwechselrichter), die Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und den Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeuge). Die MOSFETs eignen sich für DC/DC-Wandler und boardinterne Ladeanwendungen.
- Komplementärer P- + N-Kanal
- Anreicherungstyp
- Avalanche-fähig
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Komplementärer n- und p-Kanal
20V
950mA
0.266ohm
6Pin(s)
500mW
-
MSL 1 - unbegrenzt
20V
950mA
0.266ohm
SOT-363
500mW
150°C
AEC-Q101
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat