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ist führend im Bereich des Silizium-MEMS-Timings. Programmierbare Timing-Lösungen von SiTime bieten einen reichhaltigen Funktionsumfang, der es Kunden ermöglicht, ihre Produkte mit höherer Leistung, kleinerer Größe, geringerem Stromverbrauch und besserer Zuverlässigkeit abzugrenzen. Mehr lesen
1 bis 725 MHz, ±10 bis ±50 ppm, -55 bis +125 °C LVCMOS, Differential, AEC-Q100, VCXO, I2C/SPI-Programmierbarkeit, EMI-Reduktion
±0,05 bis ±2,5 ppm, 1 bis 220 MHz, +105 °C, bessere dynamische Leistung unter rauen Bedingungen, 1 ppb/°C (dF/dT)
32,768 kHz, ±3 bis 75 ppm, 1,2 mm2 CSP, XTAL-Ersatz, <1 µA Versorgungsstrom, treibt mehrere Lasten an
±5 bis ±8 ppb, 1 bis 60 MHz, +85 °C, bessere dynamische Leistung unter rauen Bedingungen, 40 ppt/°C Frequenzgang (dF/dT)
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