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DMT3020UFDB-7
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,512 € |
| 500+ | 0,411 € |
| 1000+ | 0,390 € |
| 5000+ | 0,174 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMT3020UFDB-7
Bestellnummer3828437RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.019ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.019ohm
Bauform - TransistorU-DFN2020
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.3W
Verlustleistung, p-Kanal1.3W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.019ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.3W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.019ohm
Bauform - Transistor
U-DFN2020
Verlustleistung, n-Kanal
1.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung