Seite drucken
DMPH6050SK3-13
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMPH6050SK3-13
Bestellnummer3518391RL
Technisches Datenblatt
2.036 auf Lager
2.500 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,395 € |
| 500+ | 0,315 € |
| 1000+ | 0,287 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
44,50 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMPH6050SK3-13
Bestellnummer3518391RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Wandlerpolaritätp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id23.6A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.05ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.05ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung1.9W
Verlustleistung Pd1.9W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Der DMPH6050SK3-13 ist ein P-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp. Diese neue MOSFET-Generation ist für einen minimalen Einschaltwiderstand (RDS(on)) bei gleichzeitig hoher Schaltleistung ausgelegt und damit ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen geeignet. Typische Anwendungen umfassen: Lastschalter, DC/DC-Wandler, Motorantrieb.
- 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) - für zuverlässigere und robustere Endanwendung
- Niedrige Qg - minimiert Schaltverluste; niedriger RDS(ON) - minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
- Drain-Source-Spannung: -60V bei TA = +25°C
- Gate-Source-Spannung: ±20V bei TA = +25°C
- Kontinuierlicher Drainstrom: -7.2A bei TA = +25°C, eingeschwungen, VGS = -10V
- Gepulster Drainstrom (10µs Impuls, Tastverhältnis = 1%): -40A bei TA = +25°C
- Verlustleistung, gesamt: 1.9W bei TA = +25°C
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: max. 50 mOhm bei VGS = -10V, ID = -7A, TA = +25°C
- Gehäuse: TO252 (DPAK)
- Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis +175°C
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.05ohm
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.9W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Wandlerpolarität
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
23.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.05ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Verlustleistung Pd
1.9W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung