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DMP6050SSD-13
Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 11.3 A, 11.3 A, 0.036 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,450 € |
| 500+ | 0,394 € |
| 1000+ | 0,347 € |
| 5000+ | 0,285 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMP6050SSD-13
Bestellnummer3944157RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal11.3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal11.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.036ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.036ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.7W
Verlustleistung, p-Kanal1.7W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
11.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.036ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.7W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
11.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.036ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
1.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung