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DMP2110UVTQ-7
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.15 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,249 € |
| 500+ | 0,174 € |
| 1000+ | 0,147 € |
| 5000+ | 0,131 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMP2110UVTQ-7
Bestellnummer3405245RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal1.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.15ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.15ohm
Bauform - TransistorTSOT-26
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal740mW
Verlustleistung, p-Kanal740mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.15ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
740mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.15ohm
Bauform - Transistor
TSOT-26
Verlustleistung, n-Kanal
740mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung