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DMN62D4LDW-13
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 261 mA, 261 mA, 1.3 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0821 € |
| 1000+ | 0,0649 € |
| 5000+ | 0,064 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN62D4LDW-13
Bestellnummer3702795RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id261mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal261mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal261mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1.3ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1.3ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal450mW
Verlustleistung, p-Kanal450mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Dauer-Drainstrom Id
261mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
261mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1.3ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
450mW
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
261mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1.3ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
450mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung