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DMN3006SCA6-7
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0046 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,480 € |
| 500+ | 1,450 € |
| 1000+ | 1,420 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN3006SCA6-7
Bestellnummer3589325RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal13A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0046ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0046ohm
Bauform - TransistorX4-DSN3519
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal800mW
Verlustleistung, p-Kanal800mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0046ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
800mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0046ohm
Bauform - Transistor
X4-DSN3519
Verlustleistung, n-Kanal
800mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000121
Produktnachverfolgung