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DMN2024UFX-7
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,326 € |
| 1000+ | 0,292 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN2024UFX-7
Bestellnummer3589319RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.011ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.011ohm
Bauform - TransistorV-DFN2050
Anzahl der Pins4Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal920mW
Verlustleistung, p-Kanal920mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.011ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
920mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.011ohm
Bauform - Transistor
V-DFN2050
Verlustleistung, n-Kanal
920mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000121
Produktnachverfolgung