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DMG6602SVT
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 2.8 A, 0.06 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,344 € |
| 10+ | 0,188 € |
| 100+ | 0,0964 € |
| 500+ | 0,0869 € |
| 1000+ | 0,0802 € |
| 5000+ | 0,0649 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMG6602SVT
Bestellnummer2061522
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal2.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.06ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.095ohm
Bauform - TransistorTSOT-26
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal840mW
Verlustleistung, p-Kanal840mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DMG6602SVT is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain source voltage is 30V at TA = +25°C (P/N channel)
- Continuous drain current is 3.4A at TA = +25°C (P/N channel)
- Drain source on state resistance is 0.038ohm at TA = +25°C (P/N channel)
- Power dissipation is 1.12W at TA = +25°C (P/N channel)
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C (P/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
2.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.095ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
840mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.06ohm
Bauform - Transistor
TSOT-26
Verlustleistung, n-Kanal
840mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000027
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