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DMG6602SVT

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.038 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage

DIODES INC. DMG6602SVT

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
DMG6602SVT
Bestellnummer:
2061522
Technisches Datenblatt:
DMG6602SVT   Datasheet
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

DMG6602SVT von Diode Inc ist ein MOSFET (Anreicherungstyp, Komplementärpaar) in TSOT-26-Gehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser MOSFET bietet eine niedrige Eingangskapazität, eine hohe Schaltfrequenz und einen niedrigen Eingangs-/Ausgangsleckstrom. Er wurde entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine herausragende Schaltleistung aufrecht zu erhalten, wodurch er sich hervorragend für Power-Management-Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und für Hintergrundbeleuchtung eignet.
  • Für Kfz-Anwendungen gemäß AEC-Q101 qualifiziert
  • UL-Anerkennung
  • Drain/Source-Spannung (Vds): 30V
  • Gate/Source-Spannung (Vgs): ±20V
  • Dauer-Drainstrom: 3.4A
  • Verlustleistung (Pd): 1.27W
  • Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
  • Geringer Durchgangswiderstand bei Vgs = 10V: 38 mOhm

Anwendungen

Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie, Fahrzeugelektronik

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab

Produktspezifikationen

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:
Komplementärer n- und p-Kanal

:
30V

:
3.4A

:
0.038ohm

:
TSOT-26

:
Oberflächenmontage

:
10V

:
1V

:
1.12W

:
6Pin(s)

:
150°C

:
-

:
-

:
-
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