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DMG6602SVT
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.038 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
- Hersteller:
- DIODES INC. DIODES INC.
- Herstellerteilenummer:
- DMG6602SVT
- Bestellnummer:
- 2061522
- Technisches Datenblatt:
- DMG6602SVT Datasheet
Produktbeschreibung
DMG6602SVT von Diode Inc ist ein MOSFET (Anreicherungstyp, Komplementärpaar) in TSOT-26-Gehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser MOSFET bietet eine niedrige Eingangskapazität, eine hohe Schaltfrequenz und einen niedrigen Eingangs-/Ausgangsleckstrom. Er wurde entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine herausragende Schaltleistung aufrecht zu erhalten, wodurch er sich hervorragend für Power-Management-Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und für Hintergrundbeleuchtung eignet.
- Für Kfz-Anwendungen gemäß AEC-Q101 qualifiziert
- UL-Anerkennung
- Drain/Source-Spannung (Vds): 30V
- Gate/Source-Spannung (Vgs): ±20V
- Dauer-Drainstrom: 3.4A
- Verlustleistung (Pd): 1.27W
- Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
- Geringer Durchgangswiderstand bei Vgs = 10V: 38 mOhm
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie, Fahrzeugelektronik
Hinweise
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Produktspezifikationen
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- :
- Komplementärer n- und p-Kanal
- :
- 30V
- :
- 3.4A
- :
- 0.038ohm
- :
- TSOT-26
- :
- Oberflächenmontage
- :
- 10V
- :
- 1V
- :
- 1.12W
- :
- 6Pin(s)
- :
- 150°C
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