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DMC67D8UFDBQ-7
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 1.7 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,592 € |
| 10+ | 0,298 € |
| 100+ | 0,265 € |
| 500+ | 0,263 € |
| 1000+ | 0,261 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMC67D8UFDBQ-7
Bestellnummer3680112
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal390mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1.7ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1.7ohm
Bauform - TransistorU-DFN2020
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal890mW
Verlustleistung, p-Kanal890mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1.7ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
890mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1.7ohm
Bauform - Transistor
U-DFN2020
Verlustleistung, n-Kanal
890mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000121
Produktnachverfolgung