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DMC3025LSD-13
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,281 € |
| 500+ | 0,214 € |
| 1000+ | 0,186 € |
| 5000+ | 0,142 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMC3025LSD-13
Bestellnummer3944041RL
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.015ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.015ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.5W
Verlustleistung, p-Kanal1.5W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.015ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.5W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.015ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001