Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
6.260 auf Lager
9.000 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,347 € |
50+ | 0,212 € |
100+ | 0,124 € |
500+ | 0,0882 € |
1500+ | 0,0842 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
1,73 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMC2400UV-7
Bestellnummer2543523
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal1.03A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.48ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.97ohm
Bauform - TransistorSOT-563
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal450mW
Verlustleistung, p-Kanal450mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
DMC2400UV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET in 6 pin SOT-563 package. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include power management functions, battery operated systems and solid-state relays and load switch.
- Drain-source voltage is 20V, gate-source voltage is ±12V
- Pulsed drain current is 3A, maximum body diode continuous current is 800mA
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage VGS(TH) <lt/>1V
- Low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Total power dissipation is 0.45W
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.97ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
450mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
1.03A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.48ohm
Bauform - Transistor
SOT-563
Verlustleistung, n-Kanal
450mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000145
Produktnachverfolgung