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DMC21D1UDA-7B
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,145 € |
| 500+ | 0,125 € |
| 1000+ | 0,0903 € |
| 5000+ | 0,0807 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMC21D1UDA-7B
Bestellnummer3944027RL
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal455mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal455mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.5ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.5ohm
Bauform - TransistorX2-DFN0806
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal300mW
Verlustleistung, p-Kanal300mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
455mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.5ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
300mW
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
455mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.5ohm
Bauform - Transistor
X2-DFN0806
Verlustleistung, n-Kanal
300mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001