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XP10A250YT
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerYAGEO XSEMI
HerstellerteilenummerXP10A250YT
Bestellnummer4169015RL
ProduktpaletteXP10A250 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerYAGEO XSEMI
HerstellerteilenummerXP10A250YT
Bestellnummer4169015RL
ProduktpaletteXP10A250 Series
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal2.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.25ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorPMPAK
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2.5W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteXP10A250 Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
XP10A250 Series
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.25ohm
Bauform - Transistor
PMPAK
Verlustleistung, n-Kanal
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001