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C3M0120090D
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 12,520 € |
| 5+ | 12,120 € |
| 10+ | 11,720 € |
| 50+ | 8,230 € |
| 100+ | 7,650 € |
| 250+ | 7,060 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerC3M0120090D
Bestellnummer2630825
ProduktpaletteC2M
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id23A
Drain-Source-Spannung Vds900V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.12ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung97W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteC2M
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.12ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
-
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
900V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
97W
Produktpalette
C2M
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für C3M0120090D
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008234