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C3M0075120J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 15,590 € |
| 5+ | 14,080 € |
| 10+ | 12,570 € |
| 50+ | 11,060 € |
| 100+ | 10,870 € |
| 250+ | 10,860 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerC3M0075120J
Bestellnummer2773496
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.075ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung113.6W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.075ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
113.6W
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Alternativen für C3M0075120J
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung