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C3M0075120D
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 19,100 € |
| 5+ | 18,480 € |
| 10+ | 17,860 € |
| 50+ | 12,280 € |
| 100+ | 11,680 € |
| 250+ | 11,070 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerC3M0075120D
Bestellnummer3019623
ProduktpaletteC3M
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.075ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung113.6W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteC3M
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.075ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
113.6W
Produktpalette
C3M
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Alternativen für C3M0075120D
1 Produkt(e) gefunden
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008777
Produktnachverfolgung