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C3M0021120K
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 38,010 € |
| 5+ | 37,030 € |
| 10+ | 36,050 € |
| 50+ | 27,070 € |
| 100+ | 26,530 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerC3M0021120K
Bestellnummer3227325
ProduktpaletteC3M
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.021ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung469W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteC3M
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.021ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
469W
Produktpalette
C3M
Technische Dokumente (2)
Alternativen für C3M0021120K
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008673