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WMSC006H12B2S6T
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerWMSC006H12B2S6T
Bestellnummer4697778
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 92,220 € |
| 5+ | 87,000 € |
| 10+ | 81,120 € |
| 50+ | 76,330 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
92,22 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerWEEN SEMICONDUCTORS
HerstellerteilenummerWMSC006H12B2S6T
Bestellnummer4697778
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id200A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.01ohm
Bauform - TransistorWeEnPACK-B2
Anzahl der Pins36Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung278W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
200A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.01ohm
Anzahl der Pins
36Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
WeEnPACK-B2
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
278W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001