VSMY2850RG
Infrarot-Emitter, High-Speed, 850 nm, 10 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,743 € |
| 10+ | 0,518 € |
| 25+ | 0,475 € |
| 50+ | 0,431 € |
| 100+ | 0,388 € |
| 500+ | 0,324 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The VSMY2850RG is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear. It is suitable for high pulse current operation and floor life of 4 weeks, MSL 2a, according to J-STD-020. It is suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photointerrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels and IR illumination.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Terminal configurations - Gull-wing or reserve gull-wing
- ±10° Angle of half intensity
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
850nm
SMD
10ns
100mA
-40°C
-
No SVHC (07-Nov-2024)
10°
10mW/Sr
10ns
1.9V
85°C
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat