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VEMT3700-GS08
Fototransistor, 850 nm, 120 °, 100 mW, 2 Pin(s), PLCC
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerVEMT3700-GS08
Bestellnummer2504152RL
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.850nm
Abstrahlwinkel120°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorPLCC
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
PLCC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Abstrahlwinkel
120°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00045