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VEMT2500X01
Fototransistor, 850 nm, 15 °, 100 mW, 2 Pin(s)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,686 € |
| 10+ | 0,509 € |
| 100+ | 0,338 € |
| 500+ | 0,280 € |
| 1000+ | 0,265 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 5
Mehrere: 5
3,43 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerVEMT2500X01
Bestellnummer1870780
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.850nm
Abstrahlwinkel15°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - Transistor-
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Dieser Silizium-NPN-Fototransistor eignet sich für Detektoren in Kfz-Anwendungen, Lichtschranken, Miniaturschaltern, Zählern, Encodern und Positionssensoren.
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Hohe Strahlungsempfindlichkeit
- Geeignet für Strahlung im sichtbaren und nahen Infrarot-Bereich
- Kurze Ansprechzeit
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
Abstrahlwinkel
15°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):4
Produktnachverfolgung