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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerVEMD8082
Bestellnummer4399569
Technisches Datenblatt
Anzahl der Pins8Pin(s)
Bauform - DiodeSMD
Wellenlänge bei Spitzensensitivität890nm
Winkel halber Empfindlichkeit ±65°
Dunkelstrom200pA
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
VEMD8082 is a silicon PIN photodiode. It is a high-speed and high sensitive PIN photodiode with enhanced sensitivity for visible light. It is a low-profile surface-mount device (SMD) including the chip with a 6.0mm² sensitive area detecting visible and near infrared radiation. Applications include wearables, health monitoring, and high-speed photo detectors.
- Dimensions (L x W x H): 4.8mm x 2.5mm x 0.5mm
- Enhanced sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Compatible with infrared reflow solder process
- Angle of half sensitivity: ϕ = ±65°
- Forward voltage is 0.9V typ at IF = 20mA, Tamb = 25°C
- Reverse break down voltage is 20V min at IR = 100μA, Ee = 0mW/cm², Tamb = 25°C
- Rise/fall time is 40ns typ at VR = 10V, RL = 50 ohm, λ = 830nm
Technische Spezifikationen
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität
890nm
Dunkelstrom
200pA
Betriebstemperatur, max.
85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Bauform - Diode
SMD
Winkel halber Empfindlichkeit ±
65°
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001