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VEMD6060X01
Photodiode, 70°, 30pA, 820nm, 1206-2
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerVEMD6060X01
Bestellnummer2565323RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - Diode1206
Wellenlänge bei Spitzensensitivität820nm
Winkel halber Empfindlichkeit ±70°
Dunkelstrom30pA
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.110°C
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Diese Silizium-PIN-Fotodiode eignet sich zur Verwendung in High-Speed-Fotodetektoren und Näherungssensoren sowie zur Kleinsignalerfassung.
- Strahlungsempfindliche Fläche: 0.85mm²
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Hohe Lichtempfindlichkeit
- Hohe Strahlungsempfindlichkeit
- Hervorragende Ira-Linearität
- Geeignet für Strahlung im sichtbaren und nahen Infrarot-Bereich
- Kurze Ansprechzeit
Technische Spezifikationen
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität
820nm
Dunkelstrom
30pA
Betriebstemperatur, max.
110°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
Bauform - Diode
1206
Winkel halber Empfindlichkeit ±
70°
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00043
Produktnachverfolgung