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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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10+ | 0,942 € |
25+ | 0,864 € |
50+ | 0,785 € |
100+ | 0,707 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerTSHG6200
Bestellnummer1703549
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge850nm
Halbwertswinkel10°
Bauform - DiodeT-1 3/4 (5mm)
Strahlungsintensität (Ie)20mW/Sr
Anstiegszeit20ns
Abfallzeit tf13ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)100mA
Durchlassspannung Vf max.1.5V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
The TSHG6200 is a 850nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras and high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
- ±10° Angle of half intensity
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
850nm
Bauform - Diode
T-1 3/4 (5mm)
Anstiegszeit
20ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
100mA
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
-
Halbwertswinkel
10°
Strahlungsintensität (Ie)
20mW/Sr
Abfallzeit tf
13ns
Durchlassspannung Vf max.
1.5V
Betriebstemperatur, max.
85°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung