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SUD50P08-25L-E3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 17 Woche(n)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 2000+ | 1,100 € |
| 6000+ | 1,080 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2000
Mehrere: 2000
2.200,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUD50P08-25L-E3
Bestellnummer2679718
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.021ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung136W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
136W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.021ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung