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SUD40N08-16-E3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,130 € |
| 10+ | 2,450 € |
| 100+ | 1,890 € |
| 500+ | 1,650 € |
| 1000+ | 1,550 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUD40N08-16-E3
Bestellnummer2335406
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.013ohm
Bauform - TransistorTO-252AA
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung136W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SUD40N08-16-E3 ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) für 80VDS. Der TrenchFET®-Baustein arbeitet mit einer antiparallelen Diode.
- 100% Rg-getestet
- Sperrschichttemperatur, max.: 175°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Bauform - Transistor
TO-252AA
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
136W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.013ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001