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SUD08P06-155L-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 12 Woche(n)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 2000+ | 0,405 € |
| 6000+ | 0,359 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2000
Mehrere: 2000
810,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUD08P06-155L-GE3
Bestellnummer2679715
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.155ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung20.8W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- P-channel 60V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® power MOSFETs
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.2A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
20.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.155ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung