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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQSA80ENW-T1_GE3
Bestellnummer2771839RL
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id18A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.015ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.015ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung62.5W
Verlustleistung Pd62.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.015ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
62.5W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.015ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Verlustleistung Pd
62.5W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung