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SQM30010EL_GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,080 € |
| 10+ | 2,250 € |
| 100+ | 1,820 € |
| 500+ | 1,400 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQM30010EL_GE3
Bestellnummer3019156
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0011ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCTo Be Advised
Alternativen für SQM30010EL_GE3
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
120A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0011ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001