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SQJQ141EL-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 0.002 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,130 € |
| 500+ | 1,980 € |
| 1000+ | 1,690 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJQ141EL-T1_GE3
Bestellnummer3777512RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätp-Kanal
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id390A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.002ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0014ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung Pd600W
Verlustleistung600W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.002ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
600W
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
390A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0014ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Verlustleistung
600W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung