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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJA26EP-T1_GE3
Bestellnummer3801708RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 1,070 € |
500+ | 0,787 € |
1000+ | 0,748 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJA26EP-T1_GE3
Bestellnummer3801708RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id410A
Drain-Source-Durchgangswiderstand770µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung500W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- Automotive N-channel 30V (D-S) 175°C MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100% Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
410A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
770µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.02268
Produktnachverfolgung