SQD19P06-60L_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,860 € |
| 10+ | 1,290 € |
| 100+ | 0,888 € |
| 500+ | 0,707 € |
| 1000+ | 0,646 € |
| 5000+ | 0,579 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Die neuen MOSFET von Vishay Siliconix gemäß AEC-Q101 für Kfz-Anwendungen werden mithilfe eines dedizierten Prozessablaufs für hohe Robustheit hergestellt. Die MOSFET der Produktreihe SQ sind ausgelegt für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C und verfügen über n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Durchgangswiderstand in blei (Pb)- und halogenfreien SO-Gehäusen. Optionen umfassen die herkömmlichen D2PAK (TO-263)- und DPAK (TO-252)-Gehäuse sowie mehrere PowerPAK®-Gehäuse, die Platzeinsparungen im Vergleich zu den Bauformen D2PAK, DPAK und SO-8 ermöglichen und gleichzeitig einen ähnlichen Durchgangswiderstand sowie einen vergleichbaren Wärmewiderstand bieten. Die Produktreihe SQ umfasst zudem Bausteine in äußerst kompakten Gehäusen wie TSOP-6, SOT-23 und SC-89.
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
p-Kanal
20A
TO-252 (DPAK)
10V
46W
175°C
AEC-Q101
Lead (21-Jan-2025)
60V
0.046ohm
Oberflächenmontage
2.5V
3Pin(s)
TrenchFET
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SQD19P06-60L_GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
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RoHS
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