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SQA700CEJW-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9 A, 0.056 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,666 € |
| 10+ | 0,443 € |
| 100+ | 0,299 € |
| 500+ | 0,221 € |
| 1000+ | 0,194 € |
| 5000+ | 0,150 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQA700CEJW-T1_GE3
Bestellnummer3777520
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.056ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70W
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung13.6W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70W
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
13.6W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.056ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001