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SQ2337ES-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.29 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQ2337ES-T1_GE3
Bestellnummer3470718RL
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.29ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.2A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.29ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000091